防靜電薄膜因?yàn)榫哂幸欢ǖ膶?dǎo)電能力能夠?qū)⒓墼诓ＡП砻娴撵o電導(dǎo)出,按照方塊電阻的大小,把方塊電阻在10^5~10^12Ω/m范圍內(nèi)的材料稱為抗靜電材料,下圖是不同ATO（也可以用我們公司的膠用光學(xué)抗靜電劑LI1016-EA添加量（％wt）為0.3-2時(shí)方阻為107-1010）
摻量的薄膜表面方塊電阻,由圖5可知,疏水型抗靜電薄膜的表面方塊電阻均在10^6Ω/m數(shù)量級(jí)以下，具有較好抗靜電能力。并且隨著ATO摻量增加,薄膜表面方塊電阻先降低,然后迅速升高。

當(dāng)ATO摻量較少時(shí),由于硅溶膠中SiO,基團(tuán)的存在,SnO,是以鑲嵌的形式摻雜在SiO,網(wǎng)格中,這種形式抑制了ATO顆粒的長大,并使ATO連接程度下降,在溶膠內(nèi)ATO粒子分散,將溶膠鍍覆于玻璃上后ATO顆粒互相獨(dú)立,不能形成導(dǎo)電通路,所以薄膜表面電阻較大。隨著ATO摻雜量的增加薄膜方塊電阻先下降.在ATO摻量為15%時(shí)達(dá)到最低為1.35× 10^5Ω/m。但是當(dāng)ATO繼續(xù)增加,薄膜電阻產(chǎn)生突變,迅速升高。產(chǎn)生突變的原因如下:一方面,HMDS為低表面能改性物質(zhì),ATO顆粒相對(duì)于疏水改性的硅溶膠具有較高的表面能,所以在熱處理固化時(shí)薄膜易產(chǎn)生結(jié)構(gòu)缺陷從而導(dǎo)致薄膜導(dǎo)電性能不能提高,電阻增加。另一方面,SnO2摻入量過大,可能會(huì)破壞薄膜表面致密性和均勻性,使薄膜表面電陽升高